Будущие технологии памяти: FeRAM изнутри

Оперативная память - один из базовых компонентов компьютера, жизненно необходимый ему с самого начала компьютерной эры. Память, как неотъемлемый атрибут архитектуры компьютерных вычислительных систем был провозглашен еще в то время, когда сам компьютер был лишь на бумаге. Реализация оперативной памяти, перенос ее из теоретических набросков в практическое решение - поистине была сложнейшей задачей, с которой столкнулись инженеры тех лет. Вначале, когда компьютеры были большими, а программы маленькими, оперативная память представляла собой ферромагнитные кольца, нанизанные на перекрещивающиеся прутья. Эта память при всей своей смехотворной емкости в несколько сотен байт (при размере в шкаф) обладала ценным свойством - она была энергонезависимой и сохраняла данные и после выключения компьютера. Прогресс шел. В погоне за объемами и быстродействием для производства оперативной памяти стали использовать лампы, а в дальнейшем и транзисторы с конденсаторами. На транзисторах развитие памяти остановилось надолго, двигаясь лишь по пути уменьшения транзисторных ячеек. На данный момент основным типом памяти является память типа DRAM, ячейка которой состоит из транзистора с конденсатором (1Т/1С).